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我国成功实现8英寸IGBT芯片产业化
日期:2014年06月30日      湖南省科技厅

    6月20日,国内首条、世界第二条的8英寸IGBT(绝缘栅双极型晶体管)专业芯片生产线在中国南车株洲电力机车研究所有限公司(以下简称南车株洲所)建成,中国首片8英寸IGBT芯片同时下线。这条生产线总投资15亿元,首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片,配套生产100万只IGBT模块,真正实现IGBT的国产化。它的投产将打破国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断,对于保障国民经济安全、推动两型社会建设具有重大战略意义。
    为实现我国在高端IGBT芯片产业化关键技术上的突破,国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项”重点支持南车株洲所牵头开展了攻关,湖南省科技厅将该项目列入“省承接国家科技重大专项成果转化专项”和“省战略性新兴产业科技攻关与重大科技成果转化项目”重点项目,对南车株洲所进行了连续支持。经过多年的研发,南车株洲所攻克了30多项重大难题,终于掌握了IGBT产品设计、芯片制造、模块封装测试、可靠性试验、系统应用等成套技术,成功研制出从650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模块,形成了IGBT的完整产业链。其产业规模和技术实力都达到了国际领先水平,特别是在沟槽技术、高能离子注入、超薄片加工、激光退火与铜金属化工艺等关键技术的运用方面都走在国际前列。
    这条8英寸IGBT专业芯片线全面建成投产后,年产值预计可突破20亿元。同时,按照全球IGBT技术发展趋势,南车株洲所正在研发第五代、预研第六代IGBT技术,以持续确保我国在IGBT产业上的技术支撑与核心竞争力。