纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺技术及其应用
    “纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺技术及其应用”项目获2010年度国家技术发明奖二等奖。该项目在两期“973”计划和国家自然科学基金重点项目等一批国家级项目的支持下,形成三套面向不同IC技术代和不同电路应用的新器件与新工艺技术、一套可靠性评测技术及关键工艺模拟技术,建立了适用于纳米尺度集成电路的器件与工艺集成化技术及基本解决方案,解决了当前IC产业急需的若干关键技术和IC前瞻技术中的器件和工艺瓶颈问题。项目主要创新和应用成果包括:研发了面向逻辑应用的系列单栅、双栅/多栅新器件与工艺技术;面向射频/混合信号电路集成的要求,发明了新结构高品质因子无源元件技术及新的不改变标准工艺的后CMOS隔离技术,有效解决了衬底损耗和衬底串扰的关键瓶颈问题;研发了新的可靠性分析和工艺模拟共性技术。项目从基础技术层面提升了我国IC整体研发水平,成果被国际一流的集成电路公司采用,带动我国IC技术研发进入国际前沿,为我国先进IC技术的自主开发和可持续发展奠定了基础。

        

 

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