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国家自然奖二等奖——“氧化物阻变存储器机理与性能调控”
科技部门户网站 www.most.gov.cn 2017年01月05日       
主要完成人:刘明
完成单位(完成人所在单位):中国科学院微电子研究所
推荐单位(人):中国科学院
宣传要点:
    本项目属于微电子领域,高性能存储是信息技术的基础。本项目针对新型氧化物阻变存储技术中的基础科学问题开展了系统研究,主要科学发现包括在纳米尺度揭示了阻变机理、发现了功能层掺杂调控存储性能的规律、提出了局域电场增强器件参数一致性的方法。8篇代表性论文和20篇主要论文被SCI他引750次/1158次。作为典型进展被写入15本著作和40篇综述。成功研制了基于HfO2的1kb 阻变存储器测试芯片,相关专利授权/许可给中芯国际和武汉新芯。
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